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実験用LIAプラズマCVD装置 VC-R400G/F

独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、超高速、高品質成膜を実現します。

特長

  1. 実験・研究・評価・試作に最適なCVD装置です。
  2. LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP) 使用により、高速/高精度成膜を実現します。
  3. 多点制御により、より細かな均一性を確保。手動、自動、オプションも多彩です。
  4. DLC用には、新開発バイアス電源を選択できます。
  5. 従来比5倍以上の超高速成膜を実現しました。(*当社比)
  6. 本実験機での実証後は、生産機へのフィードバックが容易です。

  LIAについて
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量産装置への展開

大型基板まで、多彩なラインアップで量産展開をサポートします。

装置仕様

 型番
VC-R400G
VC-R400F
 対象基材
ガラス板、金属板などの平板
樹脂フィルム(PET、PEN)、
金属箔
 対象膜
DLC、SiN、SiOなど
 基材サイズ※
W400 x L500 mm
川幅500㎜
 成膜方法
デポダウン、静止成膜  (インライン成膜も対応可能)
 温調
ステージ温調 < 500℃

※他基材サイズ対応につきましては、お問い合わせください。

 

※LIAは株式会社イー・エム・ディーの商標です。

 

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