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低インダクタンスアンテナ(LIA)プラズマ技術と当社大型基板搬送技術をCVDやスパッタなどの大型基板処理装置に展開しました。
基板へのダメージを低減しながら高密度プラズマを生成するLIAプラズマ技術と、世界シェアNo.1の実績を持つディスプレー製造装置で培った大型基板搬送技術を組み合わせることで、大型基板への高速かつ均一処理をを可能にしました。
CVD、スパッタ装置をはじめ、エッチングなど幅広い分野へ応用展開いたします。


 

 


LIAプラズマCVD装置

特長

  • 高い成膜レート
     SiNx 3.0nm/sec. 以上
     
  • 高い面内均一性
     ±3%以内
     (有効エリア1,200mmx1,000mmの場合)


  • デポアップ方式

LIAスパッタ装置

特長

  • 高い成膜レート
     SiNx 2.5nm/sec.
     Al2O3 1.5nm/sec.


  • 高品質結晶ITO
    抵抗率 120μΩ・cm以下
     高透過率 90%以上(λ=550 nm)
     表面粗さ Ra1nm以下


  • 高い面内均一性
     ±3%以内
     (有効エリア1,200mmx1,000mmの場合)


  • デポアップ方式

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