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赤外線ランプアニール装置 LA-830

赤外線ランプアニール装置 LA-830

特長

  1. 接触型温度センサ・TSプローブの形状を最適化。さらに加熱用ランプ専用の高速応答温度コントローラを採用して、プロセス温度の制御性を一段と高めました。
  2. 熱処理前後の雰囲気を高純度に保持するN2雰囲気搬送機構(オプション)により、チャンバ内の酸素濃度をppbレベルまで抑制可能にしました。
  3. ウェーハ冷却機構を改良し、処理温度の低温化に伴う降温待ちのタイムロスを削減。スループットが向上しました。
  4. 独自のウェーハ保持方式と炉体形状の最適化、および高速ガス置換と優れた赤外線透過効率の石英チャンバにより、高い温度均一性と処理品質を実現しました。
  5. TSプローブの調整を容易にするなど、メンテナンス性を向上させた設計となっています。

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